はじめに
パワーアンプＩＣを卒業し、本格的なＨｉ−Ｆｉアンプの製作を目指したのが本作品です。１９８０年代後半から構想を暖めてきましたが、結局製作したのは１９９３年です。第１７作目となります。
回路
回路は、ＯＰアンプに、電流ブースターとしてエミッタフォロワを追加した形式となっています。ＣＱ出版「トランジスタ回路の設計」に載っていた回路をアレンジしたものです。特にＮＦＢは多重帰還形式になっていて、エミッタフォロワ段はＤＣ帰還のみと、ＡＣは無帰還となっているのが特徴です。
パーツなど
パワートランジスタは２ＳＣ２２３８／２ＳＡ９６８で、特にこだわって決めたものではなく、たまたま手元にあったコンプリメンタリペアです。ドライバ段は２ＳＣ１８１５／２ＳＡ１０１５で、これは説明の必要の無いぐらい一般的なトランジスタです。一応、パワー段は１０ペア分、ドライバー段は２５ペア分から、特性のそろったペアを選別してあります。
ＯＰアンプはＮＪＭ４５８０Ｄです。抵抗器は一般的な金属皮膜抵抗です。
コンデンサも特にこだわってはいませんが、カップリングとＮＦＢにはジーメンスのポリカーボネイトコンデンサを使用しました。
トランスは、近所のパーツ屋さんがジャンクとして放出したトロイダルトランスを使いました。容量は１６Ｖ３Ａが２回路で、外観からすると、元々低価格帯プリメインアンプ用だったと推察されます。
整流ダイオードは、今は亡きＯｔｅｃで購入したファーストリカバリーダイオード、Ｓ５ＫＣ２０とＳ５ＫＣ２０Ｒを使いました。
製作
ケースはアイデアルのＣＢ−６０を使いました。トランスはトロイダル型なので、電流容量の割には小型なのですが、それでもケースの約半分を占めており、余裕の無い実装となってしまいました。パワートランジスタはケースの底板に取り付け、ケースを介して放熱するようになっています。パワーアンプですので、ボリュームは省略しました。
特性
周波数特性
高域まで素直に伸びています。−３ｄＢポイントは２００ｋＨｚです。低域は、入力カップリングコンデンサのため、１０Ｈｚで若干（−１ｄＢ）の低下が見られます。いずれにしても、可聴領域は完全にフラットで、申し分の無い特性です。
歪み率
歪み率を示します。さすが両電源ＯＣＬ回路だけあって、単電源パワーアンプによく見られる、低域での歪み率の悪化はまったく見られません。
出力無帰還ということで、歪み率の絶対値は、半導体アンプとしては良くありません。どちらかといえば真空管アンプに近い特性です。
製作後の感想
概ね意図した感じに完成しましたが、不満な点が多いのも事実です。
パワートランジスタの放熱は、ケースだけでは少し不足だったようで、夏場はかなり熱くなります。やはり専用の放熱板を使用したほうが良かったです。そもそもケースが小さすぎで、もう少し余裕のあるケースを使うべきでした。
また出力無帰還ということで、ある程度は覚悟はしていましたが、ひずみ率が悪すぎます。ドライバ段まではＮＦＢループに含めても良かったのかもしれません。
一番の不満点は、規模の割にパワーが取れないことで、耐圧が±２２ＶのＯＰアンプ（ＮＥ５５３２とか）を用いるなりして、電源電圧を高く設定すれば、もっとパワーが出せたはずです。
