はじめに
以前紹介したＯＰアンプ＋無帰還エミッタフォロワー型パワーアンプですが、最後に書いてあるように、かなり不満がありました。一番の不満は出力が小さいことで、これがＬＭ３８０なら仕方がないと思いますが、これだけの規模の回路を作って最大出力４．５Ｗとは情けなさすぎます。
このままではお蔵入りになってしまいますので、それなりに使えるアンプになるよう改良することにしました。２００８年５月に完成しました。
回路
回路は前と同じです。このアンプの場合、最大出力はほとんどＯＰアンプの電源電圧で決まります。元の回路は±１２Ｖで使っていましたが、オペアンプの電源電圧を±１５Ｖにすれば、特に回路定数をいじることなく最大出力をアップできます。オペアンプの耐圧までまだ余裕があるので、オペアンプに電源を供給する３端子レギュレータを７８１２／７９１２から７８１５／７９１５に変更しました。
回路的には他にもまだ不満な点があり、手を加えたいところですが、そこまでやると結局新しいアンプに作り直すことになってしまうので、改良は出力アップだけに止め、他は妥協しました。
またトランスは今まで１６Ｖ×２（１００ＶＡ）のものを使っていましたが、出力数Ｗのアンプに使うには勿体なさすぎるので、１５Ｖ×２（５０ＶＡ）のトランスに交換しました。容量は減りましたが、本機にとってはまだ十二分に余裕があります。
改造したアンプの内部を右の写真で示します。トランスはNuvotem Talema社のトロイダルトランスです。トランスが小さくなったため内部に余裕ができ、実装も楽になりました。
特性
周波数特性
帯域は−３ｄＢポイントで６〜１５０ｋＨｚです。変なピークもなく素直な特性です。半導体アンプにしてはあまり高域が伸びていませんが、実用的には問題ないでしょう。
歪み率
クリップポイントはちょうど７Ｗでした。意図したとおり出力アップが図られています。歪み率(THD)は各周波数とも０．数％オーダーです。周波数による歪み率の違いがまったく無い、きれいな特性です。ただ歪み率の絶対値は、半導体アンプとしてはかなり悪いです。ＡＢ級の出力無帰還アンプなので、歪み率が悪いのは致し方ないところです。
最終段のアイドリング電流を変えたときの、歪み率の変化を右に示します。アイドリング電流を増やして、Ａ級動作領域が増えるにつれて、歪み率が下がっていく様子が良く分かります。
一般的な半導体アンプでは、高いＮＦＢをかけて特性を改善しているので、ＡＢ級でもかなりの低歪みですが、本機は出力無帰還なのでＡ級動作による改善効果は、最終的な歪み率に大きく効いてきます。このグラフを見ると、いっそのことＡ級動作にすれば、かなりの性能が見込めそうです。しかしながら、本機の場合アンプケースでパワートランジスタの放熱を行っている関係で、ある程度以上熱損失を増やすことが困難なため、Ａ級にすることは事実上無理です（そういう意味でも、余裕の無い作りのアンプだったと後悔しています）。
したがって本改造では、アイドリング電流を設計値の２倍程度の１００ｍＡとして、Ａ級動作領域を増やすだけに止めました。それでも小信号時の歪み率は設計値の半分となっているので、それなりの効果はあるように思われます。
あとがき＆試聴記（プラセボ入り）
ちょっとした改良でしたが、意図した通り出力アップと歪み率改善ができました。改良としては成功です。ただやはり終段を純Ａ級にしたかったという思いはあり、不満が残っているのも事実です。
測定後、さっそく試聴してみました。ちょっと聴いた感じ、おとなしい音という印象です。これはこれで普通に良い音だと思います。改良前に感じられた、何か詰まったような感じは無くなりました。パワーアップの効果があったということでしょうか？。
